Өгөгдлийг асар хурдтай хуулдаг флашийг танилцууллаа
Хятадын Фүданий их сургуулийн судлаачид 400 пикосекунд тутамд нэг бит өгөгдлийг хуулдаг дараагийн үеийн флаш санах ойн загварыг танилцуулжээ.
“Бид хиймэл оюуны алгоритм ашиглан судалгаа туршилтын орчныг сайжруулснаар энэхүү технологийн хөгжлийг шинэ шатанд гаргаж, бодитоор ашиглах үеийг ойртууллаа” хэмээн Фүданий их сургуулийн төслийн удирдагч Жоу Пэн ярьсан байна.
“PoX” хэмээх нэртэйгээр танилцуулсан энэхүү флашийг Диракийн хоёр хэмжээст бүтэц бүхий нэг атомын зузаантай, нүүрстөрөгчийн атомуудаас бүрдсэн, торлог бүтэцтэй материалд тулгуурлан зохион бүтээжээ. Судлаачдын мэдээлснээр, уг төхөөрөмж нь нэг бит өгөгдлийг 1-10 наносекундэд хадгалдаг DRAM, SRAM зэрэг хамгийн хурдан шуурхай санах ойнуудыг гүйцэтгэлээрээ давсан байна. “PoX” нь цахилгаан тэжээлгүйгээр өгөгдлөлийг хадгалдгаас гадна, эрчим хүчний хэмнэлттэй, асар их хурдыг хослуулсан технологийн шийдэл болжээ.
Энэхүү технологи нь өндөр хурдтай, эрчим хүчний эх үүсвэрээс хараат бус санах ойг шаарддаг хиймэл оюуны төхөөрөмж зэрэг өгөгдөл хадгалах ирээдүйн дэвшилтэт системүүдийн үндэс суурь болох боломжтой гэж эрдэмтэд дүгнэж байна.
